[发明专利]监控离子注入设备品质的方法以及离子注入方法在审
| 申请号： | 201610596379.6 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105977181A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李楠;张凌越;朱云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种监控离子注入设备品质的方法以及离子注入方法。本发明的监控离子注入设备品质的方法包括：第一步骤：选择一个光片为监控晶圆；第二步骤：在炉管中使监控晶圆表面生长氧化物膜厚；第三步骤：采用离子注入设备对生长有氧化物膜厚的监控晶圆执行离子注入；第四步骤：在离子注入之后对监控晶圆进行测试以得到表面电荷的数据；第五步骤：根据得到的表面电荷的数据来判断监控离子注入设备品质。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 离子 注入 设备 品质 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种监控离子注入设备品质的方法，其特征在于包括：第一步骤：选择一个光片为监控晶圆；第二步骤：在炉管中使监控晶圆表面生长氧化物膜厚；第三步骤：采用离子注入设备对生长有氧化物膜厚的监控晶圆执行离子注入；第四步骤：在离子注入之后对监控晶圆进行测试以得到表面电荷的数据；第五步骤：根据得到的表面电荷的数据来判断监控离子注入设备品质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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