[发明专利]提高MOS器件模拟应用模型精准性的方法在审
| 申请号： | 201610596457.2 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106250600A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高MOS器件模拟应用模型精准性的方法，包括：将MOS器件的电压操作范围划分成至少两个电压区域；针对所述至少两个电压区域中的每个电压区域，分别提取所述MOS器件的仿真模型，从而得到至少两个仿真模型；针对MOS器件的电压操作范围中的特定操作电压，应用所述至少两个仿真模型中的相应仿真模型。根据本发明的提高MOS器件模拟应用模型精准性的方法通过划分多个区域来进行分别建模，从而有效地提高了MOS器件在模拟电路仿真模型的精准性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 mos 器件 模拟 应用 模型 精准 方法 | ||
【主权项】：
一种提高MOS器件模拟应用模型精准性的方法，其特征在于包括：第一步骤：将MOS器件的电压操作范围划分成至少两个电压区域；第二步骤：针对所述至少两个电压区域中的每个电压区域，提取所述MOS器件的仿真模型，从而得到至少两个仿真模型；第三步骤：针对MOS器件的电压操作范围中的特定操作电压，应用所述至少两个仿真模型中的相应仿真模型。
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