[发明专利]分栅式快闪存储器的版图、掩膜版及制造方法有效

专利信息
申请号: 201610596507.7 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN105977259B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 王卉;曹子贵;陈宏;徐涛 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/11519 分类号: H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/115;H01L29/788;G03F1/76
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种分栅式快闪存储器的版图、掩膜版及制造方法,本发明的技术方案将现有技术中的两层浮栅版图层合并为一层,将对应于字线带区域的浮栅版图的尺寸增大,获得了相应的版图设计、浮栅掩膜版和字线接触孔掩膜版,从而使得在本发明的分栅式快闪存储器制造方法中,能够通过一步光刻工艺下定义出浮栅区域,并降低了相应区域的浮栅介质层的刻蚀开口深宽比,并避免由于刻蚀开口深宽比过高而导致的聚合物残留过多的问题,同时大大简化了工艺步骤,降低了制造成本。
搜索关键词: 分栅式快 闪存 版图 掩膜版 制造 方法
【主权项】:
1.一种分栅式快闪存储器的版图,其特征在于,包括一层浮栅版图层以及位于所述浮栅版图层上方的一层字线接触孔版图层;所述浮栅版图层中的每个浮栅图区包括两端的直条状区域以及续接在直条状区域之间的S形曲线区域,所述S形曲线区域包括两个凹向相反且连为一体的弯曲部,每个弯曲部的凹口中间位置伸出一凸脚,所述凸脚的末端与另一弯曲部的背部外边缘相齐平;所述字线接触孔版图层中的每个字线接触孔版图区的投影位于所述弯曲部的凹口中,且横放在所述凸脚上并与所述弯曲部的其余部分均保持一定间隙。
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