[发明专利]一种基于CMOS深亚微米工艺的EEPROM结构

摘要

本发明为一种基于CMOS深亚微米工艺的EEPROM结构，包括：控制栅，浮栅，氧化层，其特征在于，CMOS深亚微米工艺低压逻辑部分的栅和金属布线结构包括一层多晶硅和四层金属；所述EEPROM结构存储器部分栅和金属布线结构包括二层多晶硅和三层金属；其中，CMOS深亚微米工艺中低压MOS管栅与EEPROM结构中的浮栅使用同一层多晶硅；第一层金属走线与EEPROM结构中的控制栅使用同一层金属，即第一层金属走线当做EEPROM结构中的控制栅使用。本发明解决了目前芯片制作工艺过于复杂、芯片加工费昂贵，而且前期需要制作的掩膜版比较多，投入大的问题。本发明芯片能够有效的简化制作工艺，减少前期制作所需的掩膜版数量，从而提高芯片制作效率，降低芯片加工费用。

主权项

一种基于CMOS深亚微米工艺的EEPROM结构，包括：控制栅，浮栅，氧化层，其特征在于，CMOS深亚微米工艺低压逻辑部分的栅和金属布线结构包括一层多晶硅和四层金属；所述EEPROM结构存储器部分栅和金属布线结构包括二层多晶硅和三层金属；其中，CMOS深亚微米工艺中低压MOS管栅与EEPROM结构中的浮栅使用同一层多晶硅；第一层金属走线与EEPROM结构中的控制栅使用同一层金属，即第一层金属走线当做EEPROM结构中的控制栅使用。