[发明专利]薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示器

摘要

本发明涉及到薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示器。本发明提出了一种薄膜晶体管基板，包括：第一薄膜晶体管；第二薄膜晶体管；第一存储电容器电极；氧化物层，覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，并暴露出第一存储电容器电极；在所述氧化物层上且覆盖所述第一存储电容器电极的氮化物层；在所述氮化物层上的第二存储电容器电极，其中所述第二电容器电极与所述第一存储电容器电极交叠；覆盖所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第二存储电容器电极的平坦层；和在所述平坦层上的像素电极公开。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：在基板上形成第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)和第一存储电容器电极(ST1)；形成氧化物层(SIO)，所述氧化物层(SIO)覆盖所述第一薄膜晶体管(T1)和所述第二薄膜晶体管(T2)，并暴露出所述第一存储电容器电极(ST1)；在所述氧化物层(SIO)上仅沉积氮化物层(SIN)，使用掩模工艺，仅将氮化物层(SIN)图案化以形成暴露出所述第一薄膜晶体管(T1)的第一漏极(D1)的第一像素接触孔(PH1)，所述氮化物层(SIN)覆盖所述第一存储电容器电极(ST1)；在具有所述第一像素接触孔(PH1)的基板的整个表面上沉积金属层，使用掩模工艺，将金属层图案化以形成第二存储电容器电极(ST2)，同时形成辅助漏极(AD)以使其经由所述第一像素接触孔(PH1)和漏极接触孔(DH)接触所述第一漏极(D1)，其中所述第二存储电容器电极(ST2)与所述第一存储电容器电极(ST1)交叠；形成覆盖所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)和所述第二存储电容器电极(ST2)的平坦层(PLN)；和在所述平坦层(PLN)上形成像素电极(ANO)。