[发明专利]一种基于ZIF‑67构筑具有超电容性能的氮化碳纳米管的合成方法在审
| 申请号： | 201610596681.1 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106169381A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 豆义波;郭瑞梅;白金泉;周健;李建荣;谢亚勃 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/36;H01G11/32 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于ZIF‑67构筑具有超电容性能的氮化碳纳米管的合成方法，属于超电容储能材料制备的技术领域。在氮气保护条件下，以ZIF‑67为模板，通过对其进行高温碳化构筑了具有良好电化学活性的氮化碳纳米管。基于该氮化碳纳米管保持了前驱体MOFs高的比表面积、良好的骨架结构，进而有利于电子的传输和提升能量转换和储能性能，因此具有良好的电化学活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 zif 67 构筑 具有 电容 性能 氮化 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种基于ZIF‑67构筑具有超电容性能的氮化碳纳米管的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)ZIF‑67的合成:在室温搅拌状态下，将2‑甲基咪唑和六水合硝酸钴溶于甲醇，室温静置12～36h，混合液离心后用甲醇洗涤、活化、真空干燥，得ZIF‑67；(2)ZIF‑67的碳化：将步骤(1)中制备的ZIF‑67置于研钵并研磨，氮气保护条件下，以2～5℃/min的升温速率升温至700～900℃碳化2～6h，得钴掺杂的氮化碳纳米管；(3)氮化碳纳米管的提纯：将步骤(2)中制备的钴掺杂的氮化碳纳米管溶于8～12mol/L的盐酸溶液中酸化5～32h去除金属钴，离心后用去离子水和无水乙醇洗涤，真空干燥，得高纯度的氮化碳纳米管。
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