[发明专利]气盘及气体反应设备有效
申请号: | 201610597239.0 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN106011793B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 李辉;梁勇;曾一平;段瑞飞;王晓东;羊建坤;冉军学;王文军 | 申请(专利权)人: | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 046000 山西省*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种用于MOCVD设备的新型的预先混气的顶盘组件,由进气上盘、水冷套、匀气盘、以及匀气网组成,通过对顶盘组件的改进和创新及独特的设计,即:不同的工艺气体在顶盘组件内完成预先混合;进气上盘、匀气网、以及匀气盘的设置形成了多个混气腔;在匀气网及匀气盘上分别设计均匀分布的匀气喷口,并且交错排布。从而使得工艺气体混合的更充分、更均匀。有效抑制了外延生长过程中的预反应,提高了均匀性及薄膜质量。 | ||
搜索关键词: | 气体 反应 设备 | ||
【主权项】:
1.一种MOCVD设备气盘,其特征在于,所述气盘包括:混气空腔,所述混气空腔中具有混气空间和排出混气空间中混合气体的出口;进气通道,所述进气通道包括分开设置的第一进气通道和第二进气通道,所述第一进气通道将第一气体供给到所述混气空腔中,所述第二进气通道将第二气体供给到所述混气空腔中,所述第一气体和第二气体在所述混气空间中混合;所述混气空腔包括第一混气空腔和第二混气空腔,所述第一混气空腔内设置所述第一气体喷头和第二气体喷头,所述第二混气空腔中设置所述混合气体的出口;所述第一混气空腔和第二混气空腔连通,在所述第一混气空腔和第二混气空腔之间设置有匀气网,所述匀气网上设置有匀气孔;所述混气空腔的截面为圆形;所述第一气体喷头包括多个沿着所述圆形直径布置的第一气体喷嘴,相邻喷嘴组之间的间隔开同样的角度;每个喷嘴组中均包含第一喷口,所述第一喷口沿着与所述圆形的直径垂直的两个方向喷射第一气体;所述第二气体喷嘴均匀设置在相邻的两个第一气体喷嘴之间;所述第二气体喷嘴沿着所述圆形的直径朝向和远离圆心的方向喷射第二气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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