[发明专利]光掩模坯和制备光掩模的方法有效
申请号: | 201610597860.7 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN106406022B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 笹本纮平;深谷创一;稻月判臣 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;G03F1/20;G03F1/68 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 何杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中,选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中,能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。 | ||
搜索关键词: | 光掩模坯 制备 光掩模 方法 | ||
【主权项】:
光掩模坯,用于加工成适于使用波长200nm以下的曝光光进行图案转印的光掩模,该光掩模坯包括透明基材、在远离该基材的一侧的最外层设置并且具有至少0.1Ω·cm的电阻率的电阻层、和与该电阻层的邻近该基材的表面相接地设置并且具有小于0.1Ω·cm的电阻率的导电层,其中,所述电阻层为单层或由至少两个子层组成的多层结构,该单层或每个子层具有电阻率(用Ω·cm表示)和厚度(用cm表示),条件是电阻率值不大于7.5×105Ω·cm时,该电阻率等于该电阻率值,并且电阻率值大于7.5×105Ω·cm时,该电阻率等于7.5×105Ω·cm,电阻指数A,当该电阻层为单层时其为电阻率和厚度的乘积,或者当该电阻层为多层结构时其为各子层的电阻率和厚度的乘积之和,满足式(1):1.5×105≥A×α+ρc/dc (1)其中α为常数(用cm‑2表示),ρc为该导电层的电阻率(用Ω·cm表示),并且dc为该导电层的厚度(用cm表示)。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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