[发明专利]一种图形化衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201610597887.6 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106067504B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 寻飞林;张家宏;蔡吉明;林兓兓;李政鸿;曾双龙;吴洪浩;徐志军;李毕庆 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图形化衬底及其制备方法，使用两次显影光刻的工艺，在增加图形高度及底座面积的同时获得适于外延生长的图形化衬底。具体技术方案为：S1、提供一基本衬底；S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻，得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底，所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0而小于或等于0.1微米；S3、对所述S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻，得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底，所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部，使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米，以利于后续外延层的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、提供一基本衬底；S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻，得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底，所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0，小于或等于0.1微米；S3、对所述步骤S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻，得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底，所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部，所述蚀刻部的深度为所述第一图案底座外接圆半径的1/40～1/8，使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米，以利于后续外延层的生长。
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