[发明专利]外延结构、半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 201610598784.1 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107527945B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 林猷颖;古冠轩;胡益诚;刘厥扬;吕水烟;林钰书;杨钧耀;王俞仁;杨能辉 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种外延结构、半导体装置以及其制造方法。其中半导体装置包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上的栅极结构以及一部分形成于该半导体基底中的外延结构。该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸。该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸。该半导体装置还包括一层间介电层位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间。该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体基底；栅极结构，形成在该半导体基底上；外延结构，作为一对应该栅极结构的源极区或漏极区，该外延结构部分形成于该半导体基底中，该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸，该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸；以及层间介电层，位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间，其中该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层。
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