[发明专利]存取闪存模块的方法、闪存控制器以及记忆装置有效
| 申请号： | 201610599287.3 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106445723B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 杨宗杰 | 申请（专利权）人： | 慧荣科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存取一闪存模块的方法，包括：依序将第N～(N+K)笔资料分别写入至所述闪存模块中的多个闪存芯片，并分别对所述第N～(N+K)笔数据进行编码以产生第N～(N+K)组错误更正码，其中所述第N～(N+K)组错误更正码是分别用来对写入至所述多个闪存芯片中的所述第N～(N+K)笔数据进行错误更正，其中N、K为一正整数；以及将第(N+K+1)笔数据写入至所述闪存模块中的所述多个闪存芯片，并使用所述第N～(N+K)组错误更正码中至少其一来与所述第(N+K+1)笔数据一并进行编码，以产生第(N+K+1)组错误更正码。通过实施本发明，可有效地节省闪存控制器中的存储器需求，还可更进一步确保数据的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 存取 闪存 模块 方法 控制器 以及 记忆 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存取一闪存模块的方法，其特征在于，包括：依序将第N～(N+K)笔数据分别写入至所述闪存模块中的多个闪存芯片，并分别对所述第N～(N+K)笔数据进行编码以产生第N～(N+K)组错误更正码，其中所述第N～(N+K)组错误更正码是分别用来对写入至所述多个闪存芯片中的所述第N～(N+K)笔数据进行错误更正，其中N、K为一正整数；以及将第(N+K+1)笔数据写入至所述闪存模块中的所述多个闪存芯片，并使用所述第N～(N+K)组错误更正码中至少其一来与所述第(N+K+1)笔数据一并进行编码，以产生第(N+K+1)组错误更正码；其中第N～(N+K+1)笔数据是写入至所述多个闪存芯片中每一个闪存芯片的不同字线组(word line group)上的浮闸晶体管，其中每一个字线组包括了多条字线。
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