[发明专利]一种集成薄膜型窄带带阻滤波器有效
申请号: | 201610599790.9 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN106450599B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 张怀武;李光兰;饶毅恒;金立川;付小利;杨青慧 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P1/203 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于磁性材料与元器件领域,涉及高频微波电磁器件,高频磁性薄膜,尤其涉及一种集成薄膜型窄带带阻滤波器及其设计方法。本发明将磁性薄膜与共面波导集成,通过在薄膜平面不同方向施加角磁场,形成非单一频点窄带带阻滤波器,克服了多个谐振腔的复杂设计,结构简单,缩小了器件体积。能够在超高频(SHF,3‑30GHz),极高频(EHF,30‑300GHz)范围内对干扰信号进行衰减,而不影响有信号,满足了非单一频带内对噪声谐波进行抑制的需求。并且可以结合薄膜技术和微电子光刻工艺,实现滤波器的制作,工艺简单,容易实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 薄膜 窄带 带阻滤波器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成薄膜型窄带带阻滤波器,从下至上依次包括介质基片、共面波导传输线、绝缘层和磁性薄膜,其特征在于:还包括一个施加在磁性薄平面内的偏置磁场,偏置磁场大于1250Oe,与薄膜长度方向即X方向夹角为α;介质基片为高阻Si基片,R>2000Ω·cm;所述磁性薄膜为软磁性能优异的铁磁材料,其尺寸不超过绝缘层尺寸,以保证磁性薄膜与共面波导传输线完全绝缘;所述α=0°时,为双频点;α≠0°时,为多频点;所述偏置磁场大小为4400Oe,与长度方向成30°角的磁场;低端阻带范围13.9GHz‑17.5GHz,中心频率15.9GHz,阻带抑制2.58dB;中端阻带范围23.8GHz‑24.4GHz,中心频率24.1GHz,阻带抑制11.6dB;高端阻带范34.5GHz‑36.0GHz,中心频率35.2GHz,阻带抑制15.4dB;该集成薄膜型窄带带阻滤波器设计简单,频段不单一,工艺简单。
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