[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区；在所述存储区和外围区衬底上形成栅极层；在所述外围区衬底上和部分所述存储区栅极层上形成第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，对所述存储区栅极层进行刻蚀，在存储区栅极层中形成隔离凹槽；去除所述第一图形层；在所述存储区栅极层上形成第二图形层；以所述第二图形层为掩膜，去除外围区衬底上的栅极层；去除所述第二图形层；去除外围区衬底上的栅极层之后，在所述外围区形成外围器件结构；形成连接所述隔离凹槽侧壁栅极层的插塞。所述形成方法能够改善形成的插塞与所述隔离凹槽侧壁栅极层的连接，进而改善所述插塞与栅极层之间的电性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区；在所述存储区和外围区衬底上形成栅极层；在所述外围区衬底上和部分所述存储区栅极层上形成第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，对所述存储区栅极层进行刻蚀，在存储区栅极层中形成隔离凹槽；形成隔离凹槽之后，去除所述第一图形层；在所述存储区衬底和栅极层上形成第二图形层；以所述第二图形层为掩膜，去除外围区衬底上的栅极层；在去除外围区衬底上的栅极层之后，去除所述第二图形层；去除外围区衬底上的栅极层之后，在所述外围区形成外围器件结构；去除所述第一图形层之后，在所述存储区栅极层上形成插塞，所述插塞与存储区栅极层接触。