[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法，提高具有非易失性存储器的半导体装置的特性。如下构成具有配置于非易失性存储器的半导体基板的上方的控制栅极电极部(CG)以及存储器栅极电极部(MG)的半导体装置。在控制栅极电极部(CG)的下方的控制栅极绝缘膜(CGI)的存储器栅极电极部(MG)侧的端部设置厚膜部(CGIa)。根据上述构造，能够利用FN隧道消除方式在存储器栅极电极部(MG)的角部高效地注入空穴，也能够利用SSI注入方式在存储器栅极电极部(MG)的角部高效地注入电子。由此，能够缓和电子/空穴分布的不匹配，能够提高存储器单元的保留特性。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板；第1栅极电极部，配置于所述半导体基板的上方；第2栅极电极部，在所述半导体基板的上方，与所述第1栅极电极部相邻地配置；第1绝缘膜，形成于所述第1栅极电极部与所述半导体基板之间；以及第2绝缘膜，形成于所述第2栅极电极部与所述半导体基板之间以及所述第1栅极电极部与所述第2栅极电极部之间，在其内部具有电荷累积部，所述第1绝缘膜在所述第2栅极电极部侧的端部具有厚膜部，所述厚膜部的膜厚大于所述第1绝缘膜的与所述第2栅极电极部侧相反的一侧的端部的膜厚。