[发明专利]声表面波器件有效
| 申请号： | 201610600374.6 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106452386B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 畑野贡一 | 申请（专利权）人： | 威盛日本株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/145;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开的声表面波器件低损耗且具有迅速并高衰减的特性，其特征在于，包括：第1输入用布线；第1IDT，连接到该第1输入用布线；第2输入用布线；第2IDT，连接到该第2输入用布线；输出用布线；第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间，所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间的至少一个地方，具备附加静电电容的电容模式。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波器件，其特征在于，包括：第1输入用布线；第1IDT，连接到该第1输入用布线；第2输入用布线；第2IDT，连接到该第2输入用布线；输出用布线；第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间，所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间的至少一个地方，具备附加静电电容的电容模式；所述电容模式根据使衰减波段产生共振的共振点而决定。
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