[发明专利]半导体封装及其制造方法有效
申请号: | 201610600640.5 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN107305890B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 施信益;吴铁将 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种半导体封装,包含一第一逻辑晶粒;一第二逻辑晶粒,邻近第一逻辑晶粒而设置;一架桥存储器晶粒,耦接到第一逻辑晶粒与第二逻辑晶粒;一重布层(RDL)结构,耦合第一逻辑晶粒与第二逻辑晶粒;以及一模塑料,至少部分包覆第一逻辑晶粒、第二逻辑晶粒及架桥存储器晶粒。第一逻辑晶粒与第二逻辑晶粒位于共平面。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装,其包含:第一逻辑晶粒;第二逻辑晶粒,其横向邻近所述第一逻辑晶粒而设置,所述第一逻辑晶粒的第一有源面和所述第二逻辑晶粒的第二有源面面向同一方向;架桥存储器晶粒,其在与所述第一有源面和所述第二有源面相对的所述第一逻辑晶粒的第一非有源面和所述第二逻辑晶粒的第二非有源面上耦接到所述第一逻辑晶粒与所述第二逻辑晶粒两者;重布层RDL结构,其耦合所述第一逻辑晶粒与所述第二逻辑晶粒,其中所述架桥存储器晶粒通过延伸穿过所述架桥存储器晶粒的多个穿板通孔电耦合至所述RDL结构;以及模塑料,其至少部分包覆所述第一逻辑晶粒、所述第二逻辑晶粒及所述架桥存储器晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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