[发明专利]一种图像传感器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法，通过在CMOS图像传感器结构中金属间介质层上的像素阵列之间设置网格状介质薄膜，将其网格沟槽中叠设的接触下电极、光敏薄膜分割为与像素对应的水平阵列，形成电场隔离，使得各分割的光敏薄膜产生的载流子只能汇聚到其下对应的接触下电极上而不会到达周围像素，从而限制了光生载流子的运动方向，达到减小像素间串扰的目的。

主权项

一种图像传感器结构，其特征在于，自下而上包括：半导体衬底，其制作有晶体管和电容；设于所述半导体衬底上的金属间介质层，其制作有通孔和金属互连线；依次设于所述金属间介质层上的接触下电极、光敏薄膜，其按分割的水平阵列式叠设分布，并与相应的像素对应；填充于所述接触下电极、光敏薄膜所形成的间隔中的介质薄膜；设于所述光敏薄膜、介质薄膜上的透明导电上电极。