[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201610601002.5 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106206316A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 师沛 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括在SOI衬底上形成栅结构和内偏移侧墙，在内偏移侧墙两侧形成第一抬高源漏区域，在第一抬高源漏区域上方的内偏移侧墙两侧形成第一外侧墙，在第一外侧墙两侧的第一抬高源漏区域上继续形成第二抬高源漏区域，在第二抬高源漏区域上方的第一外侧墙两侧继续形成第二外侧墙；通过形成具有阶梯形侧墙结构的低寄生电容全耗尽型绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应晶体管，可以平衡源漏扩展区电阻和寄生电容的取舍，在保证源漏扩展区杂质分布不改变的同时，可减少抬高源漏区域与栅极间的寄生电容，具有流程简单、成本低廉等优点，并可适用于具有不同晶向的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一SOI衬底，在所述SOI衬底上形成栅结构和内偏移侧墙；步骤S02：在内偏移侧墙两侧的所述SOI衬底上形成第一抬高源漏区域；步骤S03：在第一抬高源漏区域上方的内偏移侧墙两侧形成第一外侧墙；步骤S04：在第一外侧墙两侧的第一抬高源漏区域上继续形成第二抬高源漏区域；步骤S05：在第二抬高源漏区域上方的第一外侧墙两侧继续形成第二外侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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