[发明专利]存储器读取电路参考电流的获取方法及装置、读取方法在审
| 申请号： | 201610601194.X | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106205665A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张凤伟;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器读取电路参考电流的获取方法及装置、读取方法。所述参考电流的获取方法包括：从存储阵列中选中与待读取的存储单元位于同一行且对应不同位线的2n个存储单元，n为正整数；对所述2n个存储单元执行编程操作，使得所述2n个存储单元中的n个存储单元被编程为“01”，所述2n个存储单元中剩余n个存储单元被编程为“10”；将对所述待读取的存储单元执行读取操作时对应的所述2n个存储单元所在位线的电流的平均值作为所述参考电流。应用上述方案获取参考电流，可以提高读取电路的读取速度和读取精度，并减少对所选中的存储单元耐久性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 读取 电路 参考 电流 获取 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器读取电路参考电流的获取方法，所述存储器包括若干个呈阵列排布的存储单元所构成的存储阵列，其特征在于，所述参考电流的获取方法包括：从存储阵列中选中与待读取的存储单元位于同一行且对应不同位线的2n个存储单元，n为正整数；对所述2n个存储单元执行编程操作，使得所述2n个存储单元中的n个存储单元被编程为“01”，所述2n个存储单元中剩余n个存储单元被编程为“10”；将对所述待读取的存储单元执行读取操作时对应的所述2n个存储单元所在位线的电流的平均值作为所述参考电流。
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