[发明专利]图像传感器和包括其的系统有效
申请号: | 201610601650.0 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN106409852B | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 杉原浩之 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种图像传感器以及一种包括其的系统。所述图像传感器包括第一半导体裸片和第二半导体裸片。第一半导体裸片包括像素行和像素列的像素阵列、在行方向上延伸并且与像素阵列的顶部或底部相邻地设置的第一列层间连接单元以及在斜线方向上延伸并且连接像素列和第一列层间连接单元的列路由布线。第二半导体裸片与第一半导体裸片堆叠。第二半导体裸片包括在行方向上延伸并且设置在与第一列层间连接单元对应的位置处且连接到第一列层间连接单元的第二列层间连接单元以及连接到第二列层间连接单元的列控制电路。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 包括 系统 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,所述图像传感器包括:第一半导体裸片,包括像素行和像素列的像素阵列、足迹在行方向上延长并且位于与像素阵列的第一相对侧和第二相对侧中的一个相邻的第一列层间连接结构以及在斜线方向上线性地延伸并且使像素列彼此独立地连接到第一列层间连接结构的列路由布线;第二半导体裸片,与第一半导体裸片堆叠并且接合到第一半导体裸片,第二半导体裸片包括第二列层间连接结构和列控制电路,其中,第二列层间连接结构电连接到第一列层间连接结构,第二列层间连接结构的足迹在行方向上延长并且在第一半导体裸片和第二半导体裸片的堆叠件中占有与第一列层间连接结构的位置竖直地对应的位置,列控制电路电连接到第二列层间连接结构,行方向与像素行平行,斜线方向与行方向形成锐角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的