[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。通过在半导体衬底的主表面上方与沟槽栅极电极一体地形成发射极耦合部以在发射极耦合部的侧壁上方形成分隔物，致使形成在发射极耦合部上方的层间绝缘膜的表面和形成在层间绝缘膜上方的发射极电极的表面特别地在发射极耦合部的端部具有平缓形状。由此，当发射极布线耦合到发射极电极/发射极焊盘时，应力被分散，而不是集中在发射极耦合部的锐角部，因此可抑制裂缝的出现。另外，通过形成分隔物，发射极电极的表面中中将形成的凹陷和突起可减少，由此，发射极电极和发射极布线之间的粘附性可提高。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面；第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区设置在所述半导体衬底的所述第二主表面侧；第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区设置在所述半导体衬底的所述第一主表面侧以便接触所述第一半导体区，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；第一沟槽，所述第一沟槽穿透所述第二半导体区，以达到所述第一半导体区；第二沟槽，所述第二沟槽穿透所述第二半导体区，以达到所述第一半导体区并且被设置成与所述第一沟槽分隔开；所述第一导电类型的第三半导体区，所述第三半导体区设置在所述第二半导体区中以便接触所述第一沟槽的第一侧表面；第一沟槽栅极电极，所述第一沟槽栅极电极经由第一绝缘膜设置在所述第一沟槽内部；第二沟槽栅极电极，所述第二沟槽栅极电极经由第二绝缘膜设置在所述第二沟槽内部；耦合部，所述耦合部经由第三绝缘膜设置在所述第一主表面上方并且与所述第二沟槽栅极电极一体地形成；分隔物，所述分隔物经由第四绝缘膜设置在所述耦合部的侧壁上方；第五绝缘膜，所述第五绝缘膜设置在所述第一主表面上方，以便覆盖所述耦合部和所述分隔物；第一开口，所述第一开口穿透所述第五绝缘膜以接触所述第三半导体区；第二开口，所述第二开口穿透所述第五绝缘膜以接触所述耦合部；以及第一电极，所述第一电极经由所述第一开口电耦合到所述第三半导体区并且经由所述第二开口电耦合到所述耦合部。