[发明专利]三端自带防护功能的横向恒流器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种三端自带防护功能的横向恒流器件及其制造方法，器件包括横向恒流二极管结构与瞬态电压抑制二极管结构，横向恒流二极管包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二P型重掺杂区、第三P型轻掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、第一金属阴极；瞬态电压抑制二极管结构包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、金属阳极；本发明在浪涌波动袭击恒流器件时率先击穿，泄放大电流，来保护恒流二极管以及其后驱动的LED灯串，提高了恒流器件及整个系统的可靠性，大大缩减了面积，降低了研发成本。

主权项

1.一种三端自带防护功能的横向恒流器件，其特征在于：包括横向恒流二极管结构与瞬态电压抑制二极管结构；所述横向恒流二极管结构包括P型轻掺杂衬底，位于P型轻掺杂衬底下方的第一P型重掺杂区，第一P型重掺杂区下方的第二金属阴极，P型轻掺杂衬底内部上方的扩散N型阱区，扩散N型阱区内部上方从左至右依次为第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型轻掺杂区、第二N型重掺杂区，覆盖P型轻掺杂衬底上表面的氧化介质层，覆盖第一N型重掺杂区和第二P型重掺杂区上表面的第一金属阴极，位于第二N型重掺杂区上方的金属阳极；第二P型重掺杂区和第一N型重掺杂区与第一金属阴极形成欧姆接触，第二N型重掺杂区和金属阳极形成欧姆接触；所述的瞬态电压抑制二极管结构包括P型轻掺杂衬底，位于P型轻掺杂衬底下方的第一P型重掺杂区，第一P型重掺杂区下方的第二金属阴极，P型轻掺杂衬底内部上方的扩散N型阱区，位于扩散N型阱区内部右端的第二N型重掺杂区，覆盖P型轻掺杂衬底上表面的氧化介质层，第二N型重掺杂区上方的金属阳极，所述第二N型重掺杂区与金属阳极形成欧姆接触，所述的第一P型重掺杂区与第二金属阴极形成欧姆接触。