[发明专利]三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法在审
申请号: | 201610602029.6 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN106252420A | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
发明(设计)人: | 乔明;方冬;于亮亮;李成州;李路;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L27/08 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法,器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构;恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用P型掺杂衬底、阳极、N型掺杂外延层,恒流器件结构还包括:第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极,双向瞬态电压抑制二极管结构还包括:第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极,本发明将双向瞬态电压抑制二极管和恒流器件集成在一起,使得恒流器件具备了一定的抗浪涌能力,增强了恒流器件以及由其组成的系统的可靠性,大大缩减了面积。 | ||
搜索关键词: | 防护 功能 垂直 型恒流 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件,其特征在于:包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构;所述恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用如下部分:P型掺杂衬底,P型掺杂衬底下表面的阳极,位于P型掺杂衬底之上的N型掺杂外延层;所述恒流器件结构还包括:N型掺杂外延层内部靠近上表面的两个第一扩散P型阱区,两个第一扩散P型阱区内部设有上表面和N型掺杂外延层上表面平齐的N型重掺杂区和第一P型重掺杂区,两个第一扩散P型阱区内部的N型重掺杂区和第一P型重掺杂区关于恒流器件结构的中心镜像对称,在N型重掺杂区和N型掺杂外延层之间的第一扩散P型阱区的上表面嵌入N型沟道区,两个N型重掺杂区之间的N型掺杂外延层的上表面和N型沟道区上表面被第一氧化层覆盖,N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和第一氧化层的上表面被第一金属阴极覆盖,所述N型重掺杂区、第一P型重掺杂区和第一金属阴极形成欧姆接触,所述P型掺杂衬底和阳极形成欧姆接触;所述双向瞬态电压抑制二极管结构还包括:远离N型重掺杂区的第一P型重掺杂区外侧的第二P型重掺杂区、覆盖N型掺杂外延层和第二P型重掺杂区边缘上表面的第二氧化层,位于第二P型重掺杂区上表面的第二金属阴极,第二P型重掺杂区的上表面和N型掺杂外延层上表面平齐,所述第二P型重掺杂区和第二金属阴极形成欧姆接触。
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