[发明专利]半导体结构、集成电路器件及形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201610602228.7 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106527051A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 马世宪;吴浩铨;蔡士豪;林育诠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;H01L21/027;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体结构、集成电路器件及形成半导体结构的方法。在各个实施例中，半导体结构包括包含高形貌区域和低形貌区域的衬底、邻接低形貌区域的高形貌区域的外部周边部分上的外部保护壁和以及外部保护壁、高形貌区域和低形貌区域上方的抗反射涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 集成电路 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底，包括第一形貌区域和第二形貌区域，其中，所述第一形貌区域高于并且紧邻所述第二形貌区域；第一保护壁，位于所述第一形貌区域的第一周边部分上，其中，所述第一形貌区域的第一周边部分邻接所述第二形貌区域；以及抗反射涂层，位于所述第一保护壁、所述第一形貌区域和所述第二形貌区域上方。
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