[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。

主权项

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：处理室，其形成于反应管内并对衬底进行处理，具有对所述衬底进行处理的处理区域、和位于所述处理区域的下方的隔热区域；衬底保持件，其在所述处理室内保持所述衬底；处理气体供给部，其向所述处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于所述处理室外，对所述处理室内进行加热；隔热部，其设置于所述衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于所述隔热部内，对所述处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向所述隔热部内供给吹扫气体，对所述隔热部内进行吹扫，所述吹扫气体供给部构成为朝向设置有所述第2加热器的发热部的区域供给所述吹扫气体，所述反应管具有：凸缘部，其形成于所述反应管的下端；和排气口，其形成于所述凸缘部，对所述隔热区域的环境气体进行排气。