[发明专利]一种沟槽栅器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅器件的制作方法，通过采用分步刻蚀工艺，形成相连通的经部分刻蚀的沟槽栅区和经完整刻蚀的隔离区，并填充隔离材料，然后采用原位再次定义沟槽栅区的方式形成沟槽栅，从而彻底消除了原来在沟槽栅与隔离区之间存在的残留硅漏电通路，减小了源漏之间的漏电，并可实现对沟槽栅区与隔离区的同步蚀刻，且与原沟槽栅制造工艺相兼容。

主权项

1.一种沟槽栅器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一具有沟道材料区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成刻蚀阻挡层；步骤S02：在刻蚀阻挡层上定义出隔离区和有源区，然后对隔离区的半导体衬底进行刻蚀，形成经部分刻蚀的隔离区；步骤S03：在有源区的刻蚀阻挡层上定义出沟槽栅区，然后对沟槽栅区和隔离区的半导体衬底同时进行刻蚀，形成相连通的经部分刻蚀的沟槽栅区和经完整刻蚀的隔离区；步骤S04：在器件表面形成一隔离材料层，将隔离区和沟槽栅区填满，并进行平坦化及去除刻蚀阻挡层；步骤S05：在半导体衬底上原有位置再次定义沟槽栅区，然后向下刻蚀隔离材料层，并停止在沟道材料区，形成沟槽栅开口；步骤S06：通过沟槽栅开口对沟道材料区进行注入，形成沟槽栅沟道调节，然后在沟槽栅开口内壁形成沟槽栅隔离层以及填充沟槽栅栅极材料，并进行平坦化，形成无漏电通道的沟槽栅；步骤S07：在沟槽栅两侧的半导体衬底中形成源区和漏区。