[发明专利]悬挂式红外探测器像元结构及其制备方法有效
申请号: | 201610602975.0 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN106449852B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种悬挂式红外探测器像元结构及其制备方法,包括:硅衬底表面的导电金属区,红外探测结构以及与红外探测结构相电连的导电梁结构;导电梁结构具有顶层导电梁和多层导电沟槽;导电沟槽包括:底部与导电金属区接触且顶部位于导电梁结构最顶层的第一导电沟槽,以及底部高于第一导电沟槽底部且顶部位于导电梁结构最顶层的第二导电沟槽;第一导电沟槽的顶部和第二导电沟槽顶部分别与顶层导电梁两端连接;第二导电沟槽的底部与红外探测结构相接触;红外探测结构产生的电信号首先经第二导电沟槽底部传输到第二导电沟槽顶部,再经顶层导电梁传输到第一导电沟槽的顶部,再从第一导电沟槽顶部传输到第一导电沟槽底部进而传输到导电金属区。 | ||
搜索关键词: | 悬挂 红外探测器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外探测器像元结构,位于一硅衬底上,包括:硅衬底表面的导电金属区,位于硅衬底上方的用于探测红外光并产生电信号的红外探测结构,以及与红外探测结构相电连的导电梁结构,用于将红外探测结构产生的电信号传输到导电金属区;其特征在于,导电梁结构包括:位于导电梁结构最顶层的顶层导电梁,以及多层导电沟槽;所述导电沟槽包括:底部与导电金属区接触且顶部位于导电梁结构最顶层的第一导电沟槽,以及底部高于第一导电沟槽底部且顶部位于导电梁结构最顶层的第二导电沟槽;其中,所述红外探测结构位于所述顶层导电梁底部以下,且与顶层导电梁不直接接触,而是通过第二导电沟槽与顶层导电梁电接触;第一导电沟槽的顶部和第二导电沟槽顶部分别与顶层导电梁两端连接;第二导电沟槽的底部与红外探测结构相连接;所述红外探测结构产生的电信号首先经第二导电沟槽底部传输到第二导电沟槽顶部,再经顶层导电梁传输到第一导电沟槽的顶部,然后从第一导电沟槽顶部传输到第一导电沟槽底部进而传输到导电金属区;再经导电金属区传输到互连层中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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