[发明专利]成像器件及其制造方法在审
申请号: | 201610603174.6 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN106486505A | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 高桥史年 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 李辉,董典红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及成像器件及其制造方法。在成像器件中,形成多层布线结构使得覆盖像素区域中的光电二极管等以及外围电路区域中的像素晶体管。形成钝化膜以便覆盖多层布线结构。钝化膜被插入在第四层间绝缘膜和滤色器之间,并且与所述第四层间绝缘膜相接触地从像素区域延伸到外围电路区域。在外围电路区域中的钝化膜被形成有比在像素区域中的钝化膜的膜厚度更厚的膜厚度。 | ||
搜索关键词: | 成像 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种成像器件,包括:半导体衬底;像素区域和外围电路区域,在所述半导体衬底上分别被限定;像素元件,被形成在所述像素区域中并且包括光电转换单元;外围电路元件,被形成在所述外围电路区域中;多层布线结构,被形成为使得覆盖所述像素元件和所述外围电路元件,并且包括多个布线层和多个层间绝缘膜;滤色器,被形成在所述像素区域中使得覆盖所述多层布线结构;微透镜,被形成在所述滤色器之上;和插入膜,被插入在位于所述层间绝缘膜中的最上位置处的最上层绝缘膜和所述滤色器之间,并且与所述最上层绝缘膜相接触地从所述像素区域延伸到所述外围电路区域,其中,在所述像素区域中,所述插入膜被形成有第一膜厚度,并且其中,在所述外围电路区域中,所述插入膜被形成有比所述第一膜厚度厚的第二膜厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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