[发明专利]成像器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610603174.6 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN106486505A 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 高桥史年 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 李辉,董典红
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及成像器件及其制造方法。在成像器件中,形成多层布线结构使得覆盖像素区域中的光电二极管等以及外围电路区域中的像素晶体管。形成钝化膜以便覆盖多层布线结构。钝化膜被插入在第四层间绝缘膜和滤色器之间,并且与所述第四层间绝缘膜相接触地从像素区域延伸到外围电路区域。在外围电路区域中的钝化膜被形成有比在像素区域中的钝化膜的膜厚度更厚的膜厚度。
搜索关键词: 成像 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种成像器件,包括:半导体衬底;像素区域和外围电路区域,在所述半导体衬底上分别被限定;像素元件,被形成在所述像素区域中并且包括光电转换单元;外围电路元件,被形成在所述外围电路区域中;多层布线结构,被形成为使得覆盖所述像素元件和所述外围电路元件,并且包括多个布线层和多个层间绝缘膜;滤色器,被形成在所述像素区域中使得覆盖所述多层布线结构;微透镜,被形成在所述滤色器之上;和插入膜,被插入在位于所述层间绝缘膜中的最上位置处的最上层绝缘膜和所述滤色器之间,并且与所述最上层绝缘膜相接触地从所述像素区域延伸到所述外围电路区域,其中,在所述像素区域中,所述插入膜被形成有第一膜厚度,并且其中,在所述外围电路区域中,所述插入膜被形成有比所述第一膜厚度厚的第二膜厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610603174.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top