[发明专利]一种艾草组培苗的生产方法在审

专利信息
申请号: 201610604106.1 申请日: 2016-07-28
公开(公告)号: CN106172002A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 莫明鑫;邓小健 申请(专利权)人: 莫明鑫
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 南宁市来来专利代理事务所(普通合伙) 45118 代理人: 来光业
地址: 530300 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种艾草组培苗生产方法,包括如下步骤:外植体的建立;外植体处理;初代培养;继代培养;生根培养;炼苗和移栽步骤。本发明的艾草组培苗生产方法具有成苗量多,繁殖系数高的优点,比传统的广西地区艾草种植方法能够提高成活率15‑20%,能够在短期内快速繁殖大量野艾草,具有成活率高,生长迅速,能够快速实现规模化种植和生产的特点。
搜索关键词: 一种 艾草 组培苗 生产 方法
【主权项】:
一种艾草组培苗生产方法,其特征在于:包括如下步骤:①外植体的建立:选择在广西壮族自治区南宁市生长的野艾草,在其叶片长至收获时,取无病虫害侵染的艾草嫩茎作为外植体;②外植体处理:步骤①得到的外植体先用无菌水冲洗4‑5次,沥干水,再用75%的酒精浸泡30S,最后置于0.1%的升汞溶液中消毒5‑10min,再用无菌水冲洗4‑5 次,处理完毕后,晾干备用;③初代培养:将步骤②处理过的茎段在无菌条件下接种到初代培养基,初代培养基成分为:MS+NAA1.2mg/L+GA3 0.5mg/L+6‑BA3.0mg/L+糖蜜15g/L,培养基pH6.3;光照强度2000Lux,培养温度23±2℃,培养时间22±2天;④继代培养:将初代培养成的试管苗剪成具2个生长点的茎段后,继续进行继代培养,培养基成分为:N6+IAA0.1mg/L+蔗糖20g/L;培养温度25±2℃,光照时间22h/d,培养基pH5.8‑6.0;每25天扩繁一次试管苗;⑤生根培养:待步骤④扩繁的试管苗取出,转入生根培养,生根培养基成分为:1/4MS+IBA0.2mg/L+6‑BA 0.02mg/L+15%糖蜜;光照强度为3000Lux,培养温度25±2℃,培养至25 天,根长至3‑5cm,苗长高3cm时出瓶;⑥炼苗:选择健壮、半木质化的试管苗出瓶移栽在泥炭土:椰糠配比为1:3 的营养基质中,保持空气湿度50‑60%,光照8000lux;⑦移栽:炼苗15天后移到露天培养,建立艾草组培苗生产基地。
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