[发明专利]硅纳米柱状阵列材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610604267.0 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106277822B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李志刚;冯尚申;王天乐;南浩善 | 申请（专利权）人： | 李志刚;台州学院 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 台州市南方商标专利事务所(普通合伙) 33225 | 代理人： | 白家驹 |
| 地址： | 318000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料，包括衬底和硅纳米柱状阵列膜，所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上；所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱，各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列；各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm，硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板，合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列，该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能，而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广，使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米柱 阵列材料 制备 阵列膜 衬底 胶体晶体模板 光吸收性能 尺寸可控 光敏器件 紧密排列 六角阵列 能源器件 柱状阵列 防反射 蜂窝状 光吸收 峰位 硅柱 合成 覆盖 应用 | ||
【主权项】：
1.硅纳米柱状阵列材料，其特征在于，包括衬底和硅纳米柱状阵列膜，所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上；所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱，各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列；各所述硅纳米柱的直径为50nm～500nm，硅纳米柱的高度为10nm～150nm；所述硅纳米柱的光吸收峰位满足以下关系式：λ≈5d+18h式中，λ为硅纳米柱的光吸收峰位，d为硅纳米柱的直径，h为硅纳米柱的高度；且所述硅纳米柱的光吸收峰位λ的范围为200nm～2400nm。
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