[发明专利]反向脉冲的系统和方法有效
| 申请号： | 201610604517.0 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449396B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 龙茂林;谭忠奎;吴英;傅乾;亚历克斯·帕特森;约翰·德鲁厄里 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于反向脉冲的系统和方法。所述方法中的一种包括：接收具有第一状态和第二状态的数字信号。该方法还包括：产生在所述数字信号处于所述第一状态时具有高状态并且在所述数字信号处于所述第二状态时具有低状态的变压器耦合等离子体(TCP)射频(RF)脉冲信号。所述方法还包括：提供TCP射频脉冲信号到所述等离子体室的一个或多个线圈；产生在所述数字信号处于所述第一状态时具有低状态并且在所述数字信号处于所述第二状态时具有高状态的偏置射频脉冲信号；以及提供所述偏置射频脉冲信号到所述等离子体室的卡盘。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 脉冲 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在等离子体处理过程中操作等离子体室的方法，该方法包括：接收数字信号，所述数字信号具有第一状态和第二状态；产生在所述数字信号处于所述第一状态时具有高状态并且在所述数字信号处于所述第二状态时具有低状态的变压器耦合等离子体射频脉冲信号；提供所述变压器耦合等离子体射频脉冲信号到所述等离子体室的一个或多个线圈；产生在所述数字信号处于所述第一状态时具有低状态并且在所述数字信号处于所述第二状态时具有高状态的偏置射频脉冲信号；以及提供所述偏置射频脉冲信号到所述等离子体室的卡盘，其中，提供所述变压器耦合等离子体射频脉冲信号在提供所述偏置射频脉冲信号的同时进行，使得在所述等离子体室中产生的离子被影响以具有增强的朝向所述卡盘的垂直方向性，从而处理高深宽比特征的蚀刻操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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