[发明专利]一种基于纠错回写技术提升非易失存储器性能的方法及非易失存储器结构有效

专利信息
申请号: 201610605230.X 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN107643955B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 徐庶;陆宇 申请(专利权)人: 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07
代理公司: 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 代理人: 张慧英
地址: 311121 浙江省杭州市余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种基于纠错回写技术提升非易失存储器性能的方法及非易失存储器结构,非易失存储器结构主要包括接口模块、逻辑控制模块、物理地址解析模块、读写驱动及感应放大模块、NVM阵列;结构简单,性能稳定;本方法会在每次读出数据时均进行纠错,并根据错误情况将纠错后的正确数据回写至原地址位,另外本发明还会采用定期扫描数据巡检的方式,将这些比特位读出,纠错并写回;同时,本发明还对存储数据设置了报警门限,每次纠错时,如果发现纠错数据段的RBER超过了该门限,则启动内部搬移程序,将该数据段从原地址搬移到新的地址存储,从而保证了新型NVM存储数据的可靠性;实时降低新型非易失存储器介质的原始出错率,保证数据可靠性。
搜索关键词: 一种 基于 纠错 技术 提升 非易失 存储器 性能 方法 结构
【主权项】:
一种基于纠错回写技术提升非易失存储器性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在每次数据读取时进行纠错,若发现错误数据,采用纠错回写方法将数据纠错后并根据错误情况将纠错后数据回写至原地址位;纠错时,若发现纠错数据段的原始出错率超过了预设的报警门限,则启动内部搬移程序,将该数据段从原地址搬移到新地址进行存储;(2)采用定期扫描数据巡检方式对长期未被读取的数据进行扫描搬移,在数据扫描搬移过程中按照步骤(1)所述方法完成数据纠错。
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