[发明专利]一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法在审
| 申请号： | 201610606052.2 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106220188A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张嵘;刘久明 | 申请（专利权）人： | 河北高富氮化硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/626 | 分类号： | C04B35/626;C04B35/584;C01B21/068 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 054300 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法，属于氮化硅粉体的制备技术领域。具体步骤为：首先在高纯硅粉中加入氮化硅稀释剂，混合均匀得到氮化反应原料，然后控制氮化反应条件得到氮化硅，最后将反应得到的氮化硅经气流磨磨细分级得到窄粒度分布的高纯氮化硅粉体。该工艺不使用添加剂，多级粒度精确配比的粒料层可以充分利用反应放出的热能，多级净化纯化保证产品纯度，是一条经济、高效、环保且可进行大规模生产的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒度 分布 高纯 氮化 硅粉体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法，其特征在于，通过以下步骤实现：（1）在高纯硅粉中加入氮化硅稀释剂，不使用添加剂，混合均匀得到氮化反应原料；（2）将步骤（1）中的氮化反应原料铺成多级粒度精确配比的粒料层置于烧结炉内，通入氮气以置换出炉内空气，继续通入氮气，加热到1400~1450℃，高纯硅粉与氮气充分反应得到氮化硅；（3）冷却至室温后，将步骤（2）得到的氮化硅破碎后经气流磨磨细分级，得到窄粒度分布的高纯氮化硅粉体。
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