[发明专利]一种熔石英光学元件表面的处理方法有效
| 申请号： | 201610606135.1 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106277814B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 孙来喜;黄进;蒋晓东;叶鑫;刘红婕;王凤蕊;耿峰;周晓燕;李青芝 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | C03C15/02 | 分类号： | C03C15/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种熔石英光学元件表面的处理方法，主要包括如下步骤：(A)对熔石英光学元件的表面进行反应离子刻蚀处理后，去离子水漂洗；(B)再采用HF‑NH4F缓释溶液对熔石英光学元件的表面进行刻蚀处理，去离子水漂洗，即可。本发明实施例的熔石英光学元件的表面处理方法实现了以较低的材料去除量对熔石英光学元件表面进行处理，并使得处理后的熔石英光学元件不仅具有较高的损伤阈值，还具有较低的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 熔石英光学元件 去离子水 漂洗 反应离子刻蚀 材料去除量 粗糙度 缓释 刻蚀 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种熔石英光学元件表面的处理方法，其特征在于，主要包括如下步骤：(A)对熔石英光学元件的表面进行反应离子刻蚀处理后，去离子水漂洗，反应离子刻蚀所采用的刻蚀气体为CHF3和Ar的混合气，两者之间的体积比控制在(0.3‑0.8)：1之间；(B)再采用HF‑NH4F缓释溶液对熔石英光学元件的表面进行刻蚀处理，去离子水漂洗，即可；其中，反应离子刻蚀过程采用平板电极射频等离子体放电系统进行，射频功率控制在100‑300W之间，射频偏压控制在800‑900V之间，刻蚀速率控制在1.5‑4.5μm/h之间；所述步骤(A)与所述步骤(B)之间，还包括如下步骤：将熔石英光学元件进行碱清洗、去离子水漂洗、酸清洗、去离子水漂洗；所述刻蚀处理以及去离子水漂洗均在兆声波清洗机中进行。
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