[发明专利]一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片在审
| 申请号： | 201610606289.0 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106290983A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;马鑫;张琪;胡腾江;王鹏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片，包括硅质敏感结构，硅质敏感结构的背面与硼玻璃键合，硅质敏感结构包括质量块以及与质量块相连的悬臂梁，在硅质敏感结构上采用物理气相沉积或化学气相沉积方法镀有四个非晶碳膜电阻，其中第一非晶态碳膜电阻位于硅质敏感结构的悬臂梁上，并靠近边框一端；第二、第三、第四非晶态碳膜电阻位于硅质敏感结构的边框处，四个非晶碳膜电阻连接成惠斯通半桥检测电路，并通过金属导线和焊盘连接，由于本发明采用的非晶态碳膜电阻具有低摩擦系数、耐腐蚀，耐磨等优良特性，彻底解决传统MEMS硅微传感器测量灵敏度和固有频率之间的制约关系，使传感器兼具高固有频率以及高测量灵敏度等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 晶态 加速度 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片，包括硅质敏感结构(1)，硅质敏感结构(1)的背面与硼玻璃(2)的正面键合，硅质敏感结构(1)的背面和硼玻璃(2)的正面之间设有空腔(3)，硅质敏感结构(1)包括质量块(5)以及与质量块(5)相连的悬臂梁6，其特征在于：在硅质敏感结构(1)上采用物理气相沉积或化学气相沉积方法镀有四个非晶碳膜电阻(4‑1、4‑2、4‑3、4‑4)，其中第一非晶态碳膜电阻(4‑1)位于硅质敏感结构(1)的悬臂梁(6)上，并靠近边框一端；第二非晶态碳膜电阻(4‑2)、第三非晶态碳膜电阻(4‑3)以及第四非晶态碳膜电阻(4‑4)位于硅质敏感结构(1)的边框处，四个非晶碳膜电阻(4‑1、4‑2、4‑3、4‑4)连接成惠斯通半桥检测电路，并通过金属导线(7)和焊盘(8)连接，硅质敏感结构(1)、硼玻璃(2)、非晶态碳膜电阻、金属导线(7)以及焊盘(8)构成了基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片。
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