[发明专利]一种半导体器件结构

摘要

本发明提供了一种半导体器件结构，包括：衬底，具有一定的厚度；多个半导体器件，形成于所述衬底中；以及位于所述多个半导体器件之间的沟槽隔离结构；所述沟槽隔离结构为V字形，所述沟槽隔离结构包括依次形成于所述沟槽的钴‑硅合金层，形成于所述钴‑硅合金层上的镍层，以及形成于镍层上并填充满所述沟槽的二氧化硅层。本发明的技术方案，利用沟槽隔离中的电磁屏蔽层，防止器件间的电磁干扰，提高半导体结构的可靠性。

主权项

1.一种半导体器件结构，其包括：衬底，具有一定的厚度；多个半导体器件，形成于所述衬底中；以及位于所述多个半导体器件之间的沟槽隔离结构；其特征在于，所述沟槽隔离结构为T字形，其具有两个尺寸不同的上开口和下开口，上开口较大，其深度大于或等于所述半导体器件在衬底中的深度，所述上开口侧壁依次形成钴‑硅合金层和电磁屏蔽层；下开口较小，所述下开口侧壁依次形成钴‑硅合金层和电磁屏蔽层，所述下开口的钴‑硅合金层和电磁屏蔽层延伸至上开口的电磁屏蔽层并与其接触，以及形成于下开口电磁屏蔽层上并填充满该沟槽的二氧化硅层；所述电磁屏蔽层包括铁钴合金层和镍层，所述铁钴合金层的厚度为100μm，镍层的厚度为100μm。