[发明专利]一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610608427.9 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105977147B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;郭红雨;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法，涉及半导体器件制造技术领域；步骤为：对衬底材料进行清洗，利用热氧设备生长氧化物介质层；在氧化物介质层上设置顶部介质层；悬涂第一光刻胶，烘烤、曝光、显影；采用等离子体进行干法过刻蚀；清洗去除第一光刻胶；悬涂第二光刻胶，进行烘烤；悬涂第三光刻胶，进行烘烤；对已经得到的样品进行曝光、显影；蒸发栅金属；剥离第一光刻胶和第二光刻胶；简单方便，能实现刻蚀自动终止，阻挡刻蚀过程中对GaN的刻蚀损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 纳米 制备 损伤 终止 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法，其特征在于：该方法包括：（1）对做完源漏欧姆接触的衬底材料(1)进行清洗，利用热氧设备生长氧化物介质层(2)；（2）在氧化物介质层（2）上设置顶部介质层（3）；（3）悬涂第一层光刻胶（4），并进行烘烤、曝光、显影，实现纳米尺度栅跟；（4）基于刻蚀设备，采用等离子体进行干法过刻蚀；（5）清洗去除第一层光刻胶（4）；（6）悬涂第二层光刻胶（5），并进行烘烤、曝光、显影；（7）沉积得到栅金属（7）；（8）剥离第二层光刻胶（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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