[发明专利]一种激光退火装置及方法有效
申请号: | 201610608761.4 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN107665821B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 徐建旭;崔国栋;兰艳平 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种激光退火装置及方法,该装置包括沿光路依次设置的激光照射系统、载片系统和反射光检测系统,以及与激光照射系统、载片系统和反射光检测系统连接的主机;激光照射系统包括沿光路依次设置的激光光源、光束调整组件、光强分布形成组件、分束组件和聚焦组件;通过选择光强分布形成组件上的光学元件形成硅片所需的入射光强分布,使硅片上的温度场达到中间和边缘温度一致的效果,保证退火温度均匀性,从而提高退火效果均匀性;基于同一批硅片,相同位置的图案是相同的,可以提前离线把退火过程中使用的光学元件选配好,按照顺序写入曝光流程,曝光过程中只进行监测,不进行调整,可以在保证退火性能的同时提高提高效率,提高产率。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种激光退火装置,其特征在于,包括沿光路依次设置的激光照射系统、载片系统和反射光检测系统,以及与所述激光照射系统、载片系统和反射光检测系统连接的主机;所述激光照射系统包括沿光路依次设置的激光光源、光束调整组件、光强分布形成组件、分束组件和聚焦组件;所述激光光源发出的激光依次经过所述光束调整组件、光强分布形成组件、分束组件和聚焦组件后投射至所述载片系统的硅片上,反射光束依次经过所述聚焦组件和分束组件后被所述反射光检测系统接收,以监测所述硅片表面的反射光斑光强分布,所述主机根据所述反射光斑光强分布信息控制所述光强分布形成组件形成硅片所需的入射光强分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造