[发明专利]具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201610609550.2 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN106129206B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 郭桓邵;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供了一种具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法,利用外延预先成长的DBR层,在芯片工艺中再将欧姆接触层对应的DBR层保留,使欧姆接触电极区域既可形成欧姆接触亦具有反射层的效果,并搭配ODR镜面系统,构成全镜面结构,达到无反射镜面面积损失,具体结构包括发光外延叠层及位于其下方的镜面系统,所述镜面系统包括金属反射层和位于其上的透光层,所述透光层包括透光区和欧姆接触区,所述透光区由透光性介电材料构成,与金属反射层构成ODR反射镜,所述欧姆接触区从下到上依次包含欧姆接触层和DBR层,所述DBR层至少由第一半导体层和第二半导体层交替构成,从而构成一个不间断反射镜面系统。 | ||
搜索关键词: | 具有 全镜面 结构 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.具有全镜面结构的发光二极管,包括发光外延叠层及位于其下方的镜面系统,所述发光外延叠层包含N型半导体层、有源层和P型半导体层,所述镜面系统包括金属反射层和位于其上的透光层,其特征在于:所述透光层包括透光区和欧姆接触区,所述透光区由透光性介电材料构成,与金属反射层构成ODR反射镜,所述欧姆接触区从下到上依次包含欧姆接触层和DBR层,所述DBR层至少由第一半导体层和第二半导体层交替构成,从而构成一个不间断反射镜面系统,所述第一半导体层和第二半导体层通过外延生长形成。
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