[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201610609697.1 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN106409694B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 洼田晋也 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;陈岚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 散热性良好的半导体装置的制造方法中,成形承载半导体芯片的岛部的成形模具由内冲头(10)和冲头导槽(11)和外冲头(12)构成,抵接成形模具而形成岛部的凹部(14)和突出壁(8)和薄壁部(9)。使所述岛部的背面露出,通过树脂来密封岛部的表面及侧面、薄壁部、半导体芯片、内部引线及导线。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置中承载半导体芯片的岛部的背面从密封树脂露出,其特征在于包括:成形由岛部和内部引线和外部引线构成的引线框的工序;在所述岛部上承载半导体芯片的工序;经由导线连接所述半导体芯片和所述内部引线的工序;以及树脂密封所述岛部、所述半导体芯片、所述内部引线及所述导线的工序,成形所述引线框的工序中,将成为岛部的片材置于小片,抵接由内冲头和冲头导槽和外冲头构成的成形模具,同时成形与所述内冲头抵接的凹部、与所述冲头导槽抵接的突出壁、和与所述外冲头抵接的薄壁部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造