[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610609697.1 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN106409694B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 洼田晋也 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;陈岚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 散热性良好的半导体装置的制造方法中,成形承载半导体芯片的岛部的成形模具由内冲头(10)和冲头导槽(11)和外冲头(12)构成,抵接成形模具而形成岛部的凹部(14)和突出壁(8)和薄壁部(9)。使所述岛部的背面露出,通过树脂来密封岛部的表面及侧面、薄壁部、半导体芯片、内部引线及导线。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置中承载半导体芯片的岛部的背面从密封树脂露出,其特征在于包括:成形由岛部和内部引线和外部引线构成的引线框的工序;在所述岛部上承载半导体芯片的工序;经由导线连接所述半导体芯片和所述内部引线的工序;以及树脂密封所述岛部、所述半导体芯片、所述内部引线及所述导线的工序,成形所述引线框的工序中,将成为岛部的片材置于小片,抵接由内冲头和冲头导槽和外冲头构成的成形模具,同时成形与所述内冲头抵接的凹部、与所述冲头导槽抵接的突出壁、和与所述外冲头抵接的薄壁部。
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