[发明专利]一种制备高含量霍山石斛多糖的方法在审
| 申请号： | 201610611379.9 | 申请日： | 2016-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN106172003A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 韩冬 | 申请（专利权）人： | 安徽斛生记生物科技有限公司 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00;A01G7/06;C08B37/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省六*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备高含量霍山石斛多糖的方法，具体的说是利用快速繁殖技术进行繁殖，再通过不同的植物生长调节剂的调节作用下，使得霍山石斛快速生长，在短时间内达到多糖含量最高值的一种方法。包括以下步骤：（1）选择霍山石斛原球茎做外植体，经前处理，于无菌接种室中接种培养，再诱导培养。（2）继代生根培养，形成单株（3）形成单株后，在植株生长的不同阶段添加不同的生长调节剂，使得植株快速生长，达到预期效果。所述方法能够大幅度缩短霍山石斛的细胞培养及植株成长周期，能在短时间内生长到多糖含量最高值，能大大提高霍山石斛多糖的产率，且工艺比较简单、稳定，环境友好，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 含量 霍山 石斛 多糖 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高含量霍山石斛多糖的方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）选择霍山石斛原球茎做外植体，经前处理，于无菌接种室中接种培养，再诱导增殖培养；（2）继代生根培养，形成单株；（3）形成单株后，在植株生长的不同阶段添加不同的生长调节剂，使得植株快速生长，达到预期效果。
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