[发明专利]一种基于氧化锌/碳杂化纳米结构的多比特存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610611579.4 | 申请日： | 2016-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206941A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 石海平;程抱昌 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种基于氧化锌/碳杂化纳米结构的多比特存储器，其特征是包括源极、二氧化硅氧化层、P型硅片、单根一维氧化锌/碳杂化纳米线、栅极、漏极、导线；在P型硅片上表面为二氧化硅氧化层，在二氧化硅氧化层的中间位置水平放置单根一维氧化锌/碳杂化纳米线，单根一维氧化锌/碳杂化纳米线的两端分别为源极和漏极，栅极位于P型硅片衬底底面中心；源极、漏极、栅极分别通过在单根一维ZnO/C杂化纳米线的两端和P型硅片衬底底面中心点银、金或铂浆获得。本发明的多比特存储器具有良好的电阻开关特性，可作为场效应晶体管存储器件使用，器件的制备工艺简单，对实际应用非常有利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化锌 碳杂化 纳米 结构 比特 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化锌/碳杂化纳米结构的多比特存储器，其特征是包括源极（1）、二氧化硅氧化层（2）、P型硅片（3）、单根一维氧化锌/碳杂化纳米线（4）、栅极（5）、漏极（6）、导线（7）；在P型硅片（3）上表面为二氧化硅氧化层（2），在二氧化硅氧化层（2）的中间位置水平放置单根一维氧化锌/碳杂化纳米线（4），单根一维氧化锌/碳杂化纳米线的两端分别为源极（1）和漏极（6），栅极（5）位于P型硅片（3）衬底底面中心；所述的源极（1）、漏极（6）、栅极（5）分别通过在单根一维ZnO/C杂化纳米线的两端和P型硅片（3）衬底底面中心点银、金或铂浆获得。
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