[发明专利]一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201610612933.5 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106252219A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 赵毅;郑泽杰;张睿;玉虓 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 刘静;邱启旺 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法，该方法首先分别在硅衬底和所需的半导体材料的表面生长绝缘层，对生长过绝缘层的两个衬底进行键合；其次通过光刻和刻蚀工艺在半导体材料层刻蚀出孔洞，直至绝缘层，并在刻蚀好的孔洞中填充高硬度物质充当阻挡层；最后对半导体材料层进行研磨，直到研磨到阻挡层，得到高平整度绝缘层上半导体结构。本发明将阻挡层注入需要研磨的半导体表面，阻挡层会阻止研磨机对低于阻挡层的半导体材料的研磨，对研磨过程中SOI材料的厚度有一定的控制作用，从而得到高平整的SOI材料，有效解决了传统SOI研磨工艺中表面倾斜和不平整的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 平整 绝缘 上半 导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：(1)分别在硅衬底和所需的半导体材料的表面生长绝缘层；(2)对生长过绝缘层的两个衬底进行键合；(3)通过光刻和刻蚀工艺在半导体材料层刻蚀出孔洞，直至绝缘层，并在刻蚀好的孔洞中填充高硬度物质充当阻挡层；阻挡层高度为所需半导体材料的高度；(4)对半导体材料层进行研磨，直到研磨到阻挡层，得到高平整度绝缘层上半导体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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