[发明专利]一种石墨/纳米碳管阵列复合导热膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610614188.8 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN106219531B 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 葛翔;朱秀娟;李志文;林剑峰 申请(专利权)人: 碳元科技股份有限公司
主分类号: C01B32/21 分类号: C01B32/21;C01B32/16;B82Y40/00
代理公司: 常州市权航专利代理有限公司 32280 代理人: 张丽萍
地址: 213145 江苏省常州市武*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种石墨/纳米碳管阵列复合导热膜的制备方法,包括如下步骤:(1)在石墨膜表面担载催化剂层或催化剂前驱体层;(2)将步骤(1)的石墨膜置于化学气相沉积设备内,经还原处理后进行纳米碳管阵列的沉积,得到表面沉积纳米碳管阵列的导热石墨膜;(3)将表面沉积纳米碳管阵列的导热石墨膜进行石墨化处理,得石墨/纳米碳管阵列复合导热膜。本发明通过表面沉积具有高度定向性纳米碳管阵列这一特殊方法,显著增加了导热石墨膜的有效辐射面积,减小导热膜与空气间的界面热阻,从而显著提高单位面积导热膜与空气等周边环境的换热量,达到将热量快速从导热膜扩散到空气等周边环境中的效果。
搜索关键词: 一种 石墨 纳米 阵列 复合 导热 制备 方法
【主权项】:
1.一种石墨/纳米碳管阵列复合导热膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)在石墨膜表面担载催化剂层或催化剂前驱体层;(2)将步骤(1)的石墨膜置于化学气相沉积设备内,经还原处理后进行纳米碳管阵列的沉积,得到表面沉积纳米碳管阵列的导热石墨膜;(3)将表面沉积纳米碳管阵列的导热石墨膜进行石墨化处理,得石墨/纳米碳管阵列复合导热膜;步骤(2)中还原处理条件为:温度为300‑600℃,还原气氛为Ar/H2、He/H2或N2/H2,还原时间为0.5‑20h;步骤(3)所述石墨化处理条件为:温度为2400‑3300℃。
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