[发明专利]电子元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610614750.7 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106449754B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 季彦良;林振华;蒋柏煜 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/482 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 何青瓦<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种电子元件及其制造方法。其中，该电子元件包括：半导体基底，具有第一上表面；第一掺杂区，嵌入于该半导体基底中；第二掺杂区，嵌入于该半导体基底中；栅极结构，位于该第一上表面上；介电层及导电部分，其中该导电部分位于该介电层上；其中，该介电层位于该第一上表面的上方并且位于该第一掺杂区及该第二掺杂区之间；或者，该导电部分位于该第一掺杂区及该第二掺杂区之间，但是不位于该第一掺杂区及该第二掺杂区之间的任何掺杂区之上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件，其特征在于，包括：/n半导体基底，具有一第一上表面；/n第一掺杂区，嵌入于该半导体基底中；/n第二掺杂区，嵌入于该半导体基底中；/n栅极结构，位于该第一上表面上；/n介电层；以及/n层结构，位于该第一上表面及该介电层上；/n导电部分，位于该介电层上；该导电部分穿透该层结构并电性连接到电压；该导电部分设有多个，多个导电部分与该半导体基底之间的距离均相等；/n其中，该介电层位于该第一上表面的上方并且位于该第一掺杂区及该第二掺杂区之间。/n
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