[发明专利]半导体封装、半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610614954.0 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106548991A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 许文松;林世钦;郑道;张垂弘 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体封装、半导体元件及其制造方法。其中该半导体封装包括封装基底，该封装基底具有第一导电层、柱层、第一封装体和第二导电层。其中，该柱层形成于该第一导电层上。该第一封装体封装该第一导电层及该柱层。其中，该第二导电层电性连接该柱层。另外，该半导体封装还包括电子元件和第二封装体，该电子元件设置在该封装基底的该第二导电层的上方，并且该第二封装体封装该电子元件及该第二导电层。在本发明实施例中，由于采用封装体来形成封装基底，因此可以降低半导体封装的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，其特征在于，包括：封装基底、第一电子元件和第二封装体；其中，该封装基底包括：第一导电层；第一柱层，形成于该第一导电层上；第一封装体，封装该第一导电层及该第一柱层；以及第二导电层，电性连接该第一柱层；其中，该第一电子元件设置在该封装基底的该第二导电层的上方，且该第二封装体封装该第一电子元件及该第二导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610614954.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
