[发明专利]闪烁体及其制造方法、放射线成像装置和放射线成像系统在审
| 申请号： | 201610615540.X | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106443756A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 石田阳平;小林玉树;市村知昭 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京怡丰知识产权代理有限公司11293 | 代理人： | 迟军 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及闪烁体及其制造方法、放射线成像装置和放射线成像系统。一种制造闪烁体的方法，包括：在基台上生长由多个柱晶构成的闪烁体层；形成第一保护膜以覆盖闪烁体层；使第一保护膜平坦化，该平坦化包含抛光第一保护膜的抛光处理；以及形成被配置为覆盖经受了平坦化的第一保护膜的第二保护膜。在基台上生长的闪烁体层包含异常生长部分。在抛光处理中，异常生长部分的前端以及第一保护膜的表面被抛光，以通过第一保护膜的表面和异常生长部分的表面形成连续表面。 | ||
| 搜索关键词： | 闪烁 及其 制造 方法 放射线 成像 装置 系统 | ||
【主权项】：
一种制造闪烁体的方法，该方法包括：在基台上生长由多个柱晶构成的闪烁体层；形成第一保护膜以覆盖闪烁体层；使第一保护膜平坦化，该平坦化包含抛光第一保护膜的抛光处理；以及形成第二保护膜，该第二保护膜被配置为覆盖经受了平坦化的第一保护膜，其中，在基台上生长的闪烁体层包含异常生长部分，以及在抛光处理中，异常生长部分的前端以及第一保护膜的表面被抛光，以通过第一保护膜的表面和异常生长部分的表面形成连续表面。
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