[发明专利]抑制SiC MOSFET关断过压的有源电压驱动控制电路及其控制方法有效
| 申请号： | 201610615553.7 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106301308B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张英;秦海鸿;朱梓悦;余俊月;徐华娟 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H03K17/0814 | 分类号： | H03K17/0814;H03K17/042;H03K17/687;H02H9/04 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔;徐晓鹭 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明为一种抑制SiC MOSFET关断过压的有源电压驱动控制电路及其控制方法，属于电力电子技术与电工技术领域，控制电路主要包括采样电路、测量放大器、模拟开关、叠加电路和驱动电路五部分；控制方法通过实时采集SiC MOSFET关断时的漏源电压进行反馈，对SiC MOSFET关断时的栅极驱动信号进行动态补偿，从而实现不受器件参数分散性的影响，将其关断时的漏源电压峰值控制在一定范围内，从而实现不受器件参数分散性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 sic mosfet 有源 电压 驱动 控制电路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制SiC MOSFET关断过压的有源电压驱动控制电路，其特征在于，该电路包括SiC MOSFET元件、采样电路、测量放大器、模拟开关、叠加电路和驱动电路；其中，所述采样电路一端连接SiC MOSFET元件的漏源极上，用于实时采集SiC MOSFET元件漏源极的电压，另一端连接模拟开关；所述模拟开关连接到测量放大器上，还依次连接叠加电路、栅极驱动电路以及所述SiC MOSFET元件的栅极上，其根据SiC MOSFET元件漏源极的电压选择是否接入反馈电路。
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