[发明专利]用于改善EEPROM存储器的写操作的方法及相应器件有效
| 申请号： | 201610615797.5 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107103931B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | F·塔耶特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于改善EEPROM存储器的写操作的方法及相应器件。用于在存储器位置中进行写入的方法包括用于写入数据值的至少一个操作，该操作包括均使用隧道效应的擦除和/或编程步骤。存储器位置包括第一存储器单元和第二存储器单元，第一存储器单元包括具有在第一浮置栅极之下的第一氧化物的第一晶体管，而第二存储器单元包括具有在第二浮置栅极之下的第二氧化物的第二晶体管，第二浮置栅极与第一浮置栅极连接；擦除和/或编程步骤均包括第一阶段和第二阶段，在第一阶段中通过每个氧化物实现相同的隧道效应，而在第二阶段中增加第一氧化物和第二氧化物中的一个氧化物的端子间的电压并同时降低另一存储器单元的另一晶体管的另一氧化物的端子间的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 eeprom 存储器 操作 方法 相应 器件 | ||
【主权项】：
一种用于在电可擦除可编程存储器类型的存储器位置(PTM)中进行写入的方法，包括用于写入数据值的至少一个操作，所述操作包括均使用隧道效应的擦除步骤(EFF)和/或编程步骤(PRG)，其特征在于：所述存储器位置(PTM)包括第一存储器单元(CLER)和第二存储器单元(CLEB)，所述第一存储器单元包括第一晶体管(TFGR)，所述第一晶体管具有在第一浮置栅极(FGR)之下的第一氧化物(OXR)，而所述第二存储器单元包括第二晶体管(TFGB)，所述第二晶体管具有在第二浮置栅极(FGB)之下的第二氧化物(OXB)，所述第二浮置栅极与所述第一浮置栅极(FGR)相连接；以及所述擦除步骤(EFF)和/或所述编程步骤(PRG)均包括第一阶段(Pe1,Pp1)和第二阶段(Pe2,Pp2)，在所述第一阶段中，通过每个氧化物(OXR,OXB)实现相同的隧道效应，而在所述第二阶段中，增加所述第一氧化物和所述第二氧化物(OXR,OXB)中的一个氧化物的端子间的电压，与此同时，降低另一存储器单元的另一晶体管的另一氧化物(OXB,OXR)的端子间的电压。
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