[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的分档方法在审
申请号: | 201610616507.9 | 申请日: | 2016-08-01 |
公开(公告)号: | CN106098851A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 陶以彬;柯勇;张春玲 | 申请(专利权)人: | 芜湖格利特新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241008 安徽省芜湖市芜湖经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的分档方法,包括以下步骤:确定分档测试的温度范围和光照强度范围;在温度范围和光照强度范围的中位值环境中测试电池效率,确定电池效率分档区间进行初步分档;在温度范围和光照强度范围的极值作为测试环境,进行电池效率测试得极值电池效率,将每一档中极值电池效率与其所在分档中极值电池效率均值的差值较大的晶体硅太阳能电池剔除;在温度范围和光照强度范围的中位值环境中测试工作电流值,确定工作电流值分档区间进行精细分档;在温度范围和光照强度范围的极值环境中进行工作电流值测试,得极值工作电流,剔除与平均值差异过大的极值工作电流。本发明能减少整个组件功率的损失以提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 分档 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池的分档方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、根据晶体硅太阳能电池应用地域的气象环境确定分档测试的温度范围和光照强度范围;步骤二、选择步骤一中确定的温度范围和光照强度范围的中位值作为测试环境,然后测试晶体硅太阳能电池的电池效率,得到中位值电池效率,确定电池效率分档区间,然后根据中位值电池效率测试结果进行初步分档;步骤三、分别选择步骤一中确定的温度范围和光照强度范围的最大值作为测试环境,然后对初步分档后的晶体硅太阳能电池进行电池效率测试,得到最大值电池效率;计算获得每一档晶体硅太阳能电池的最大值电池效率均值,将每一档中最大值电池效率与其所在分档中最大值电池效率均值的差值大于电池效率分档区间长度值一半的晶体硅太阳能电池剔除;分别选择步骤一中确定的温度范围和光照强度范围的最小值作为测试环境,然后对初步分档后的晶体硅太阳能电池进行电池效率测试,得到最小值电池效率;计算获得每一档晶体硅太阳能电池的最小值电池效率均值,将每一档中最小值电池效率与其所在分档中最小值电池效率均值的差值大于电池效率分档区间长度值一半的晶体硅太阳能电池剔除;步骤四、选择步骤一中确定的温度范围和光照强度范围的中位值作为测试环境,对步骤三分类后的晶体硅太阳能电池进行工作电流值测试,得到中位值工作电流,确定工作电流值分档区间,然后根据中位值工作电流测试结果进行精细分档;步骤五、分别选择步骤一中确定的温度范围和光照强度范围的最大值作为测试环境,然后对精细分档后的晶体硅太阳能电池进行工作电流值测试,得到最大值工作电流;计算获得每一档晶体硅太阳能电池的最大值工作电流均值,将每一档中最大值工作电流与其所在分档中最大值工作电流均值的差值大于工作电流值分档区间长度值一半的晶体硅太阳能电池剔除;分别选择步骤一中确定的温度范围和光照强度范围的最小值作为测试环境,然后对初步分档后的晶体硅太阳能电池进行工作电流值测试,得到最小值工作电流;计算获得每一档晶体硅太阳能电池的最小值工作电流均值,将每一档中最小值工作电流与其所在分档中最小值工作电流均值的差值大于工作电流值分档区间长度值一半的晶体硅太阳能电池剔除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芜湖格利特新能源科技有限公司,未经芜湖格利特新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610616507.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于装配托布轮滑机构的夹具和方法
- 下一篇:煤矸石页岩烧结砖生产系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的